Technologien und Prozesse
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Das RSC hat eine komplette Prozesslinie für sämtliche Standardprozesse der Silizium-Mikromechanik installiert. Verarbeitet werden Wafer mit Durchmessern von 100 und 150 mm; die Prozessierung von Einzelchips ist meist möglich. In der Photolithographie werden unterschiedliche Lacksysteme wie z.B. Positiv-Lacke, Umkehrlacke, Trockenresists und Sonderschichten wie PMMA, Cytop® sowie die SU8-Familie der Negativ-Lacke verwendet.Umkehrlacke, Trockenresists und Sonderschichten wie PMMA, Cytop® sowie die SU8-Familie der Negativ-Lacke verwendet. Letztere erlaubt Lackdicken von mehreren hundert Mikrometern (Poor Man's LIGA). Zwei Maskaligner, u.a. für die Justage von Vorder- zu Rückseite, stehen zur Verfügung. Ein (anodischer) Waferbonder für das justierte Verbinden von Silizium- und Pyrex®-Scheiben und ein Maskenreiniger ergänzen das Angebot des RSC. Zur Substratreinigung werden in der Nasschemie die Carosche und die RCA-Reinigung eingesetzt. Lacke können zuvor mit organischen Lösemitteln oder sogenannten Removern entfernt werden. Das nasschemische Ätzen von Silizium und seinen Verbindungen sowie von Metallen ist als Batch-Prozess mit bis zu 25 Scheiben gleichzeitig durchführbar. In Sputter- und Elektronenstrahl-Verdampfungsanlagen wird eine breite Palette metallischer Schichten, unter anderem Al, Au, Cr, Ir, Ni, Pt, Ta, Ti und TiW, abgeschieden. Sechs Anlagen zum Trockenätzen decken das gesamte Spektrum von Plasma-Veraschern über RIE-Anlagen mit Fluorchemie bis hin zu einer ICP-Ätzanlage zum Tiefenätzen von Silizium ab. Für die Erzeugung dielektrischer Schichten (u.a. Siliziumoxid und -nitrid, ‚diamond-like carbon’ (DLC), Siliziumcarbid (SiC)) stehen thermische Oxidation, Hochtemperatur-LPCVD- und Niedertemperatur-PECVD-Abscheidungen zur Verfügung. Undotiertes und dotiertes Polysilizium wird per LPCVD-Abscheidung deponiert. Für die Aufbau- und Verbindungstechnik stellt das RSC Klebestationen, Die- und Flip-Chip-Bonder sowie verschiedene Drahtbonder bereit. Für die Vereinzelung der Scheiben dienen zwei Wafersägen. Zur Charakterisierung der Prozesse und hergestellten Strukturen verfügt das RSC über eine moderne prozessbegleitende Messtechnik. Diese umfasst insbesondere Geräte zur Analyse der Wafergeometrie, zur Stressmessung, zur optischen und mechanischen Bestimmung von Schichtdicken und Topografien (u.a. Weißlichtinterferometer, Ellipsometer, Profliometer) sowie zur Erfassung der elektrischen Eigenschaften (automatisierter Waferprober). Ergänzt wird die Ausstattung durch ein Elektronenrastermikroskop. |